Výrobca Číslo produktu:
BSC030N08NS5ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC030N08NS5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventár:
6705 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799481
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC030N08NS5ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.8V @ 95µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5600 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-7
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC030
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
SP001077098
BSC030N08NS5ATMA1DKR
BSC030N08NS5ATMA1CT
BSC030N08NS5ATMA1-DG
BSC030N08NS5ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
