Výrobca Číslo produktu:
BSC035N04LSGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC035N04LSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventár:
15817 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799536
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC035N04LSGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 36µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5100 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC035
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC035N04LS GDKR
BSC035N04LS GTR-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR
BSC035N04LS GCT-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC035N04LS G-DG
BSC035N04LSGATMA1TR
BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS G
BSC035N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC035N04LSG
SP000391503
BSC035N04LSGATMA1CT
BSC035N04LS GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
