Výrobca Číslo produktu:
BSC054N04NSGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC054N04NSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 17A (Ta), 81A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventár:
31911 Ks Nové Originálne Na Sklade
12837060
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC054N04NSGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 81A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 27µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-5
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC054
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC054N04NS GTR-DG
BSC054N04NS GCT-DG
BSC054N04NSGATMA1TR
BSC054N04NS GDKR-DG
BSC054N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC054N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC054N04NSGATMA1DKR
BSC054N04NSGATMA1CT
BSC054N04NSG
BSC054N04NS G-DG
BSC054N04NS GTR
BSC054N04NS G
BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GDKR
SP000354808
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF11P06
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
FCH47N60-F085
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
FDP3651U
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
