Výrobca Číslo produktu:
BSC070N10NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC070N10NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventár:
10181 Ks Nové Originálne Na Sklade
12798887
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC070N10NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 75µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4000 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
114W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC070
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC070N10NS3 GDKR
BSC070N10NS3GATMA1CT
BSC070N10NS3 G-DG
SP000778082
BSC070N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC070N10NS3GATMA1DKR
BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-DG
BSC070N10NS3GATMA1TR
BSC070N10NS3 G
BSC070N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC070N10NS3G
BSC070N10NS3GXT
BSC070N10NS3 GTR-DG
BSC070N10NS3 GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC026NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
AUIRF7669L2TR
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
BSP296L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4