Výrobca Číslo produktu:
BSC0902NSATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC0902NSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventár:
8545 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799416
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC0902NSATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-6
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC0902
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC0902NSCT-DG
BSC0902NSATMA1TR
BSC0902NSTR-DG
IFEINFBSC0902NSATMA1
BSC0902NS
BSC0902NSDKR-DG
BSC0902NSCT
SP000800246
BSC0902NSATMA1DKR
BSC0902NSTR
BSC0902NSDKR
BSC0902NSATMA1CT
2156-BSC0902NSATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
