Výrobca Číslo produktu:
BSC0904NSIATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC0904NSIATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventár:
29829 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801901
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC0904NSIATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta), 78A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-6
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC0904
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC0904NSIATMA1CT
BSC0904NSIDKR
BSC0904NSITR-DG
2156-BSC0904NSIATMA1TR
BSC0904NSIATMA1TR
BSC0904NSIATMA1DKR
BSC0904NSIDKR-DG
BSC0904NSI-DG
BSC0904NSICT-DG
BSC0904NSICT
BSC0904NSI
SP000854384
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IRFR4105ZTR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
