Výrobca Číslo produktu:
BSC0921NDIATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC0921NDIATMA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Inventár:
13276 Ks Nové Originálne Na Sklade
12835785
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC0921NDIATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcia FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A, 31A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1025pF @ 15V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
PG-TISON-8
Základné číslo produktu
BSC0921
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC0921NDIATMA1-DG
BSC0921NDIATMA1TR
SP000934748
BSC0921NDIATMA1CT
BSC0921NDIATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
FDC6306P
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
