Výrobca Číslo produktu:
BSC109N10NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC109N10NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventár:
38915 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799626
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC109N10NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
63A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10.9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 45µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2500 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC109
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC109N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC109N10NS3 G-DG
BSC109N10NS3 GCT-DG
BSC109N10NS3GATMA1TR
BSC109N10NS3 G
SP000778132
BSC109N10NS3 GDKR
BSC109N10NS3 GDKR-DG
BSC109N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC109N10NS3G
BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3GATMA1CT
BSC109N10NS3GATMA1DKR
BSC109N10NS3GXT
BSC109N10NS3 GTR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
