Výrobca Číslo produktu:
BSC110N06NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC110N06NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventár:
8490 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800115
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC110N06NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 23µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2700 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-5
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC110
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC110N06NS3 GTR
BSC110N06NS3 GDKR
BSC110N06NS3G
BSC110N06NS3GATMA1TR
SP000453668
BSC110N06NS3 GCT-DG
BSC110N06NS3 G-DG
BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GTR-DG
BSC110N06NS3 G
BSC110N06NS3 GDKR-DG
BSC110N06NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC110N06NS3GATMA1DKR
BSC110N06NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC110N06NS3GATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPI200N15N3 G
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3