Výrobca Číslo produktu:
BSC110N15NS5SCATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC110N15NS5SCATMA1-DG
Popis:
TRENCH >=100V
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventár:
6335 Ks Nové Originálne Na Sklade
12988990
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC110N15NS5SCATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
OptiMOS™ 5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
76A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.6V @ 91µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2770 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-7
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
448-BSC110N15NS5SCATMA1TR
SP005561075
448-BSC110N15NS5SCATMA1CT
448-BSC110N15NS5SCATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC313N10N3RX1SA2
TRENCH >=100V
CMS3400-HF
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
IMT65R030M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
