BSC160N10NS3GATMA1
Výrobca Číslo produktu:

BSC160N10NS3GATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

BSC160N10NS3GATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventár:

9 Ks Nové Originálne Na Sklade
12851540
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

BSC160N10NS3GATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.8A (Ta), 42A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 33µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-1
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC160

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC160N10NS3 G-DG
BSC160N10NS3 G
BSC160N10NS3 GINDKR-DG
SP000482382
BSC160N10NS3GATMA1DKR
BSC160N10NS3GATMA1CT
BSC160N10NS3 GINDKR
BSC160N10NS3G
BSC160N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC160N10NS3 GINTR-DG
BSC160N10NS3 GINCT-DG
BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3GATMA1TR
BSC160N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
PJQ5476AL_R2_00001
VÝROBCA
Panjit International Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
639
ČÍSLO DIELU
PJQ5476AL_R2_00001-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL60N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2720
ČÍSLO DIELU
STL60N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFH5210TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4891
ČÍSLO DIELU
IRFH5210TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDMS3662
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
29781
ČÍSLO DIELU
FDMS3662-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD19534Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17145
ČÍSLO DIELU
CSD19534Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

MVGSF1N02LT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

infineon-technologies

IRFS3006TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

onsemi

FQPF47P06YDTU

MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3

onsemi

FCPF650N80Z

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F