Výrobca Číslo produktu:
BSC22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventár:
5719 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799050
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSC22DN20NS3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 13µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
430 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-5
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC22DN20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC22DN20NS3G
BSC22DN20NS3 GDKR-DG
SP000781778
BSC22DN20NS3 GDKR
BSC22DN20NS3GATMA1CT
BSC22DN20NS3 GCT-DG
BSC22DN20NS3GATMA1DKR
BSC22DN20NS3GATMA1TR
BSC22DN20NS3 G-DG
BSC22DN20NS3 GTR-DG
BSC22DN20NS3 GCT
BSC22DN20NS3 G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
IPA100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP
