Výrobca Číslo produktu:
BSO211PHXUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSO211PHXUMA1-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
Inventár:
12839970
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSO211PHXUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1095pF @ 15V
Výkon - Max
1.6W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
PG-DSO-8
Základné číslo produktu
BSO211
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-BSO211PHXUMA1
BSO211P H-DG
SP000613844
INFINFBSO211PHXUMA1
BSO211P H
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI9933CDY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26680
ČÍSLO DIELU
SI9933CDY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMG9933USD-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19989
ČÍSLO DIELU
DMG9933USD-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
EFC4612R-S-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
FDMD8440L
MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
