Výrobca Číslo produktu:
BSO613SPV
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSO613SPV-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventár:
12798981
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSO613SPV Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.44A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
875 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-DSO-8
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000012847
BSO613SPVT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI9407BDY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22594
ČÍSLO DIELU
SI9407BDY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSO613SPVGXUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22440
ČÍSLO DIELU
BSO613SPVGXUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSC159N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
AUIRFR4104TRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
BSS131E6327
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3