Výrobca Číslo produktu:
BSP88H6327XTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSP88H6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventár:
24558 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799813
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSP88H6327XTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
240 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 108µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
95 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT223-4
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
BSP88H6327
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
BSP88H6327XTSA1-DG
BSP88H6327XTSA1CT
BSP88H6327XTSA1DKR
SP001058790
2156-BSP88H6327XTSA1TR
BSP88H6327XTSA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
IPA037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220