Výrobca Číslo produktu:
BSR302NL6327HTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSR302NL6327HTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
Inventár:
12830737
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSR302NL6327HTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 30µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SC59-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSR302NL6327HTSA1CT
IFEINFBSR302NL6327HTSA1
BSR302N L6327-DG
BSR302N L6327CT
BSR302N L6327TR-DG
BSR302N L6327CT-DG
BSR302N L6327DKR-DG
BSR302NL6327HTSA1DKR
2156-BSR302NL6327HTSA1
BSR302N L6327
BSR302NL6327HTSA1TR
BSR302N L6327DKR
BSR302NL6327
SP000257785
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMV45EN2R
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
62436
ČÍSLO DIELU
PMV45EN2R-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
BUK9209-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
