Výrobca Číslo produktu:
BSS131L6327HTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS131L6327HTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 240 V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventár:
12800659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS131L6327HTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
240 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 56µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
77 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SP000247293
BSS131 L6327-DG
Q4284473
BSS131 L6327
BSS131L6327HTSA1TR
BSS131L6327XT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSS131H6327XTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BSS131H6327XTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
2N7002
VÝROBCA
UMW
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
274
ČÍSLO DIELU
2N7002-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
