Výrobca Číslo produktu:
BSS806NH6327XTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS806NH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventár:
555783 Ks Nové Originálne Na Sklade
12856580
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS806NH6327XTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 2.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
750mV @ 11µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
529 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
BSS806
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSS806N H6327
BSS806NH6327XTSA1TR
BSS806N H6327DKR-DG
IFEINFBSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1CT
BSS806N H6327CT
BSS806N H6327CT-DG
BSS806NH6327XTSA1DKR
2156-BSS806NH6327XTSA1
BSS806N H6327-DG
BSS806NH6327
SP000928952
BSS806N H6327TR-DG
BSS806N H6327DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVTFS6H860NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
NTNUS3171PZT5G
MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
RFP70N06
MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
