Výrobca Číslo produktu:
BSS83PH6327XTSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS83PH6327XTSA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventár:
107633 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801601
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS83PH6327XTSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
330mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 80µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
78 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
BSS83PH6327
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
BSS83P H6327CT
BSS83PH6327XTSA1DKR
BSS83PH6327XTSA1TR
SP000702486
BSS83P H6327TR-DG
BSS83P H6327DKR
BSS83P H6327DKR-DG
BSS83P H6327
BSS83P H6327CT-DG
BSS83PH6327XTSA1CT
BSS83P H6327-DG
BSS83PH6327
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
