Výrobca Číslo produktu:
BSS84PH6327XTSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSS84PH6327XTSA2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventár:
54606 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800703
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSS84PH6327XTSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
170mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
19 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
BSS84
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SP000929186
BSS84PH6327XTSA2CT
BSS84PH6327XTSA2TR
BSS84PH6327XTSA2DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
BSP373NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3