Výrobca Číslo produktu:
BSZ018NE2LSATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSZ018NE2LSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 23A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventár:
9111 Ks Nové Originálne Na Sklade
13063898
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSZ018NE2LSATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
OptiMOS™
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23A (Ta), 40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8-FL
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSZ018
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSZ018NE2LSDKR
SP000756338
BSZ018NE2LSCT
BSZ018NE2LS-ND
BSZ018NE2LSATMA1CT
BSZ018NE2LSATMA1DKR
BSZ018NE2LSATMA1TR
BSZ018NE2LSDKR-ND
BSZ018NE2LS
BSZ018NE2LSCT-ND
BSZ018NE2LSTR-ND
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSP149 E6906
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSZ0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
BUZ73A H3046
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
