Výrobca Číslo produktu:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventár:
28939 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799085
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
B3VV
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSZ130N03LSGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
970 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSDSON-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSZ130
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
BSS84PL6433HTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
