BTS110E3045ANTMA1
Výrobca Číslo produktu:

BTS110E3045ANTMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

BTS110E3045ANTMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount TO-220AB

Inventár:

12800249
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

BTS110E3045ANTMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
TEMPFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
BTS110 E3045A-DG
BTS110E3045ANTMA1TR
BTS110 E3045A
SP000011183
BTS110E3045AT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STB19NF20
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB19NF20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPC95R1K2P7X7SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPB230N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

infineon-technologies

IPB097N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK

infineon-technologies

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3