Výrobca Číslo produktu:
BUZ73AE3046XK
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BUZ73AE3046XK-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12801267
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUZ73AE3046XK Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
BUZ73
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
BUZ73A E3046-DG
BUZ73A E3046
BUZ73AE3046X
2156-BUZ73AE3046XK-IT
SP000011962
IFEINFBUZ73AE3046XK
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP032N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
