Výrobca Číslo produktu:
BUZ73ALHXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BUZ73ALHXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12850747
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BUZ73ALHXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
840 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
INFINFBUZ73ALHXKSA1
BUZ73AL H
SP000683012
BUZ73ALH
BUZ73AL H-DG
2156-BUZ73ALHXKSA1-IT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PHP20NQ20T,127
VÝROBCA
NXP Semiconductors
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8796
ČÍSLO DIELU
PHP20NQ20T,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS86252
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
HUF76419S3ST-F085
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
HUFA75645S3S
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
