Výrobca Číslo produktu:
IPA60R180P7SXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA60R180P7SXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-312
Inventár:
1668 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802890
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA60R180P7SXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 280µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1081 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
26W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-312
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA60R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001606066
2156-IPA60R180P7SXKSA1
IPA60R180P7SXKSA1-DG
448-IPA60R180P7SXKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK