Výrobca Číslo produktu:
IPA60R650CEXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA60R650CEXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
383 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802759
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA60R650CEXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA60R650
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-IPA60R650CEXKSA1
SP001276044
ROCINFIPA60R650CEXKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
IRF540ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPU50R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
