Výrobca Číslo produktu:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
384 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803029
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA65R095C7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 590µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2140 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA65R095
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK35A65W,S5X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13
ČÍSLO DIELU
TK35A65W,S5X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.02
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
