Výrobca Číslo produktu:
IPA65R1K0CEXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA65R1K0CEXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
12803274
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA65R1K0CEXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
328 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA65R1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-IPA65R1K0CEXKSA1
ROCINFIPA65R1K0CEXKSA1
SP001429758
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF10N65K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
952
ČÍSLO DIELU
STF10N65K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK6A65D(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35
ČÍSLO DIELU
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
IPP50R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
