Výrobca Číslo produktu:
IPA80R360P7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA80R360P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
279 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800846
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA80R360P7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 280µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
930 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA80R360
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001633514
448-IPA80R360P7XKSA1
2156-IPA80R360P7XKSA1
IPA80R360P7XKSA1-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUZ73AL
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
IPP09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
IPA90R800C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
