Výrobca Číslo produktu:
IPA90R1K2C3XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA90R1K2C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
12804045
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA90R1K2C3XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 310µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
710 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
31W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA90R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IPA90R1K2C3-DG
2156-IPA90R1K2C3XKSA1
IPA90R1K2C3
IFEINFIPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF6N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
410
ČÍSLO DIELU
STF6N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPA90R1K2C3XKSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
IPA90R1K2C3XKSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.72
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
