Výrobca Číslo produktu:
IPAN80R280P7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPAN80R280P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventár:
23 Ks Nové Originálne Na Sklade
12853025
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPAN80R280P7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 360µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPAN80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-IPAN80R280P7XKSA1-448
SP001632934
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCPF16N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FCPF16N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.99
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPA80R280P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
486
ČÍSLO DIELU
IPA80R280P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.32
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HAT2266H-EL-E
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
2SK3793-AZ
MOSFET N-CH 100V 12A TO220
MCH6341-TL-H
MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH
