Výrobca Číslo produktu:
IPB019N06L3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB019N06L3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
7726 Ks Nové Originálne Na Sklade
12857648
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB019N06L3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 196µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
166 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
28000 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB019
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB019N06L3 G-DG
IPB019N06L3G
IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 GDKR-DG
IPB019N06L3GATMA1CT
IPB019N06L3 GDKR
IPB019N06L3GATMA1TR
IPB019N06L3 GCT-DG
IPB019N06L3GATMA1DKR
IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GTR-DG
SP000453020
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS4965NFT1G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
NVTFS6H850NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NTMFS6D1N08HT1G
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
