Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPB020N04NGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB020N04NGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 140A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventár:
3448 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799769
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
X
n
o
v
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB020N04NGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
140A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 95µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9700 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-7-3
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základné číslo produktu
IPB020
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPB020N04NGATMA1-DG
Technické listy
IPB020N04NGATMA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB020N04NGATMA1TR
2156-IPB020N04NGATMA1
IPB020N04N GDKR-DG
IFEINFIPB020N04NGATMA1
IPB020N04NGATMA1DKR
IPB020N04N GCT
IPB020N04N GDKR
IPB020N04N GTR-DG
IPB020N04NG
SP000359157
IPB020N04NGATMA1CT
IPB020N04N GCT-DG
IPB020N04N G-DG
IPB020N04N G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDB024N04AL7
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
29849
ČÍSLO DIELU
FDB024N04AL7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
BTS282ZAKSA1
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
BSC061N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON