Výrobca Číslo produktu:
IPB026N06NATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB026N06NATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
2943 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802834
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB026N06NATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 75µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4100 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB026
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB026N06NATMA1DKR
IPB026N06NTR-DG
IPB026N06NCT
IPB026N06N-DG
IPB026N06NATMA1TR
IPB026N06NTR
IPB026N06NDKR-DG
SP000962142
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT-DG
IPB026N06NDKR
IPB026N06N
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
