Výrobca Číslo produktu:
IPB030N08N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB030N08N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventár:
2748 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800521
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB030N08N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 155µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8110 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
214W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-7
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základné číslo produktu
IPB030
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB030N08N3GATMA1CT
SP000444100
IPB030N08N3 GCT
IPB030N08N3 G-DG
IPB030N08N3GATMA1TR
IPB030N08N3G
IPB030N08N3 GDKR-DG
IPB030N08N3 GDKR
IPB030N08N3 G
IPB030N08N3 GTR-DG
IPB030N08N3GATMA1DKR
IPB030N08N3 GCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
BSP373 E6327
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4