Výrobca Číslo produktu:
IPB120P04P4L03ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB120P04P4L03ATMA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
12801407
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB120P04P4L03ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 340µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB120
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB120P04P4L03ATMA1CT
IPB120P04P4L03ATMA1DKR
IPB120P04P4L03ATMA1TR
SP000842284
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB120P04P4L03ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1779
ČÍSLO DIELU
IPB120P04P4L03ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.59
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
BSL372SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
