Výrobca Číslo produktu:
IPB200N15N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB200N15N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
1774 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800961
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB200N15N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1820 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB200N15N3GATMA1DKR
IPB200N15N3GATMA1CT
IPB200N15N3 GCT-DG
IPB200N15N3 G
IPB200N15N3 GDKR
IPB200N15N3 GCT
IPB200N15N3 GTR-DG
IPB200N15N3G
IPB200N15N3 GTR
IPB200N15N3GATMA1TR
IPB200N15N3 G-DG
SP000414740
IPB200N15N3 GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPDH6N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3