Výrobca Číslo produktu:
IPB50R199CPATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB50R199CPATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12801306
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB50R199CPATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
550 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 660µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1800 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB50R199
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-DG
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS119L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3