Výrobca Číslo produktu:
IPB60R099C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB60R099C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
2845 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804845
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB60R099C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
37.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1.21mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
119 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2660 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
278W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB60R099
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB60R099C6
IPB60R099C6ATMA1DKR
IPB60R099C6DKR-DG
IPB60R099C6CT-DG
IPB60R099C6TR-DG
2156-IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1TR
IPB60R099C6-DG
IPB60R099C6CT
INFINFIPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1CT
IPB60R099C6DKR
SP000687468
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.89
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB26NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2127
ČÍSLO DIELU
STB26NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.85
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCB070N65S3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
375
ČÍSLO DIELU
FCB070N65S3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.04
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STB34NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7809A
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
IRFBA1404
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
IPI60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
