Výrobca Číslo produktu:
IPB60R165CPATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB60R165CPATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
3135 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800989
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB60R165CPATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ CP
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 790µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
192W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB60R165
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB60R165CPDKR-DG
IPB60R165CPATMA1TR
IPB60R165CPCT-DG
IPB60R165CP
IPB60R165CPATMA1DKR
SP000096439
IPB60R165CPTR-DG
IPB60R165CPXT
IPB60R165CPDKR
IPB60R165CP-DG
IPB60R165CPATMA1CT
IPB60R165CPCT
2156-IPB60R165CPATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB37N60DM2AG
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB37N60DM2AG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.16
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STB30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.04
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
949
ČÍSLO DIELU
STB24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK16G60W,RVQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
994
ČÍSLO DIELU
TK16G60W,RVQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.68
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
BSZ035N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34