Výrobca Číslo produktu:
IPB60R380C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB60R380C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
12847960
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB60R380C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 320µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB60R380
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB60R380C6DKR-DG
IPB60R380C6ATMA1TR
IPB60R380C6CT
IPB60R380C6CT-DG
IPB60R380C6
IPB60R380C6TR-DG
IPB60R380C6ATMA1DKR
IPB60R380C6-DG
2156-IPB60R380C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1CT
ROCINFIPB60R380C6ATMA1
SP000660634
IPB60R380C6DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK14G65W5,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK14G65W5,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
R6011ENJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6011ENJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.56
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB13N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2210
ČÍSLO DIELU
STB13N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
R6011KNJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6011KNJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQA5N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
FDMC7582
MOSFET N-CH 25V 16.7A/49A PWR33
FQPF14N30
MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F
