Výrobca Číslo produktu:
IPB65R190C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB65R190C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
12801035
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB65R190C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 730µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1620 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
151W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB65R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB65R190C6DKR
IPB65R190C6-DG
IPB65R190C6CT-DG
IPB65R190C6ATMA1DKR
IPB65R190C6CT
IPB65R190C6ATMA1CT
IPB65R190C6
IPB65R190C6DKR-DG
IPB65R190C6TR-DG
IPB65R190C6ATMA1TR
IFEINFIPB65R190C6ATMA1
SP000863890
2156-IPB65R190C6ATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1748
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB18N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB18N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHB21N65EF-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
343
ČÍSLO DIELU
SIHB21N65EF-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
949
ČÍSLO DIELU
STB24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.86
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK