Výrobca Číslo produktu:
IPB80N06S207ATMA4
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80N06S207ATMA4-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12805602
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80N06S207ATMA4 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 180µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
INFINFIPB80N06S207ATMA4
SP001067870
2156-IPB80N06S207ATMA4
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB80N06S2H5ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
967
ČÍSLO DIELU
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.47
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDB5800
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
460
ČÍSLO DIELU
FDB5800-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLR024NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLR8103VTRPBF
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
IRFU7540PBF
MOSFET N-CH 60V 90A IPAK
