Výrobca Číslo produktu:
IPB80N06S208ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80N06S208ATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12800411
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80N06S208ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.7mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2860 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
215W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP001067884
INFINFIPB80N06S208ATMA2
2156-IPB80N06S208ATMA2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQM110N05-06L_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1525
ČÍSLO DIELU
SQM110N05-06L_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTA120N075T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA120N075T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
