Výrobca Číslo produktu:
IPB80N06S209ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80N06S209ATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
912 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804992
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80N06S209ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 125µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80N
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB80N06S209ATMA2-DG
SP001061716
2156-IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2CT
IFEINFIPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2DKR
IPB80N06S209ATMA2TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BUK9612-55B,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16996
ČÍSLO DIELU
BUK9612-55B,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB
IRF4905SPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
