Výrobca Číslo produktu:
IPB80N08S406ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80N08S406ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12805311
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80N08S406ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
INFINFIPB80N08S406ATMA1
2156-IPB80N08S406ATMA1
SP000984296
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTA160N10T7
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTA160N10T7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.33
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
