Výrobca Číslo produktu:
IPB80P04P4L06ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80P04P4L06ATMA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12800725
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80P04P4L06ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6580 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80P
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
2156-IPB80P04P4L06ATMA1
SP000842046
INFINFIPB80P04P4L06ATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB80P04P4L06ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3343
ČÍSLO DIELU
IPB80P04P4L06ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
