Výrobca Číslo produktu:
IPB80R290C3AATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB80R290C3AATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
9641 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800224
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB80R290C3AATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2300 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB80R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB80R290C3AATMA2-DG
448-IPB80R290C3AATMA2TR
448-IPB80R290C3AATMA2DKR
448-IPB80R290C3AATMA2CT
2156-IPB80R290C3AATMA2
INFINFIPB80R290C3AATMA2
SP002890376
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
