Výrobca Číslo produktu:
IPC045N10L3X1SA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPC045N10L3X1SA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventár:
12800336
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPC045N10L3X1SA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Bulk
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Tj)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 33µA
Vgs (max.)
-
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Sawn on foil
Balenie / puzdro
Die
Základné číslo produktu
IPC045N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
IPC045N10L3X1SA1-DG
448-IPC045N10L3X1SA1
SP001187424
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
IPP120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
